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J-GLOBAL ID:200903084836869367

光電変換素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 梶山 佶是 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001033416
Publication number (International publication number):2002237611
Application date: Feb. 09, 2001
Publication date: Aug. 23, 2002
Summary:
【要約】【課題】 低抵抗損失を有し、高い光電変換率を達成できる新規な光電変換素子を提供する。【解決手段】 少なくとも、一方の面上に半導体層が被着された電極と、この電極の前記半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記半導体層と対電極との間に配置された電解質層を有する光電変換素子において、前記半導体層を構成する半導体粒子間に細長い形状の導電性粒子を混在させる。
Claim (excerpt):
少なくとも、一方の面上に半導体層が被着された電極と、この電極の前記半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記半導体層と対電極との間に配置された電解質層を有する光電変換素子において、前記半導体層が増感色素担持半導体粒子と細長い形状の導電性粒子とから構成されていることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2):
H01L 31/04 ,  H01M 14/00
FI (2):
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
F-Term (7):
5F051AA14 ,  5F051CB13 ,  5F051CB29 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE16 ,  5H032HH04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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