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J-GLOBAL ID：200903085244533095

プラズマ加工装置およびプラズマ加工方法

Inventor： 中濱 康治 ,  森 勇蔵
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社 ,  森 勇蔵
Agent (2)： 山崎 宏 ,  田中 光雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007015177
Publication number (International publication number)：2008181799
Application date： Jan. 25, 2007
Publication date： Aug. 07, 2008
Summary：

【課題】反応生成物を周囲に飛散させることがなくて、被加工部材を精密に加工することができ、かつ、大掛かりなメンテナンス作業を必要としないプラズマ加工装置およびプラズマ加工方法を提供すること。【解決手段】回転電極2に、ガス滞留室16と、電極部33における回転軸23側とは反対側の端部の外面とガス滞留室16とを連通する吸引側ガス流路14と、回転軸23の外面とガス滞留室16とを連通する排出側ガス流路15とを形成する。【選択図】図2A

Claim (excerpt)：

被加工物を所定の位置に保持する被加工物保持部と、 回転軸と、上記被加工物が上記所定の位置に保持されている状態において、上記被加工物に上記回転軸の軸方向に対向し、かつ、上記回転軸の上記軸方向の一端につながって上記回転軸の回転に同期して回転する電極部とを有する回転電極と を備え、 上記回転電極は、 内部室と、 上記内部室と、上記電極部における上記回転軸側とは反対側の端部の外面とを連通する第1通路と、 上記内部室と、上記回転軸の外面とを連通する第2通路と を有することを特徴とするプラズマ加工装置。

IPC (2)：

H05H 1/24 ,  H01L 21/306

FI (2)：

H05H1/24 ,  H01L21/302 101E

F-Term (4)：

5F004BB28 ,  5F004BB32 ,  5F004BC02 ,  5F004CA03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特許第2521127号公報
  
• 特許第2816365号公報
  
• 特許第3069271号公報
  
• 回転電極を用いたプラズマ処理方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-203421   Applicant：森勇蔵

Cited by examiner (6)

• 回転電極を用いたプラズマ処理方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-203421   Applicant：森勇蔵
• ラジカル反応によるパターニング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-144347   Applicant：株式会社新潟鉄工所
• 気相成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-364465   Applicant：シャープ株式会社
• プラズマCVD法による堆積膜形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-199869   Applicant：キヤノン株式会社
• ラジカル反応を用いた加工装置および加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-213568   Applicant：森勇藏, 株式会社ニコン
• 放電プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-046635   Applicant：積水化学工業株式会社