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J-GLOBAL ID:200903085354304822
ポジ型レジスト組成物
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小栗 昌平 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001353163
Publication number (International publication number):2003156845
Application date: Nov. 19, 2001
Publication date: May. 30, 2003
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 プロファイルに優れ、現像欠陥の問題が少ないポジ型レジスト組成物を提供すること。【解決手段】 特定の脂肪族環状炭化水素基を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、特定のフッ素原子を含有し、カルボキシル基を有しない化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
Claim (excerpt):
(A)脂肪族環状炭化水素基を有し、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂であって、下記一般式(pI)〜一般式(pVI)で示される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位及び下記一般式(II)で示される繰り返し単位の群から選択される少なくとも1種を含有する樹脂【化1】(式中、R11は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基又はsec-ブチル基を表し、Zは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。R12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしくはR15、R16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。R17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R19、R21のいずれかは炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。R22〜R25は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、R22〜R25のうち少なくとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R23とR24は、互いに結合して環を形成していてもよい。)【化2】式(II)中:R11',R12'は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子、又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。Z'は、結合した2つの炭素原子(C-C)を含み、置換基を有していてもよい脂環式構造を形成するための原子団を表す。(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、(C)少なくとも一つのフッ素原子を有し、かつカルボキシル基を有さない化合物、を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (3):
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 501
, H01L 21/027
FI (3):
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 501
, H01L 21/30 502 R
F-Term (15):
2H025AA03
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB08
, 2H025CB10
, 2H025CB14
, 2H025CB41
, 2H025CC20
, 2H025FA17
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-031743
Applicant:信越化学工業株式会社
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高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-375504
Applicant:信越化学工業株式会社
-
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-030530
Applicant:信越化学工業株式会社
-
レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-075466
Applicant:信越化学工業株式会社
-
レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-302948
Applicant:信越化学工業株式会社
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