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J-GLOBAL ID：200903085359296380

薄膜積層体、薄膜キャパシタ、およびその製造方法

Inventor：
李 効民

About 李 効民

, 
田中 克彦

About 田中 克彦


Applicant, Patent owner：
株式会社村田製作所

About 株式会社村田製作所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999258901
Publication number (International publication number)：2001085624
Application date： Sep. 13, 1999
Publication date： Mar. 30, 2001
Summary：
【要約】【課題】 シリコン基板上に結晶性の良好な強誘電体薄膜を形成するためのシード層として機能するエピタキシャル導体薄膜(下部電極)およびその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板と、シリコン基板上にエピタキシャル形成されたバッファ層と、バッファ層上にエピタキシャル形成された導体薄膜とを有してなる薄膜積層体において、導体薄膜に面心立方構造を有する白金族元素を使用する。
Claim (excerpt)：
シリコン基板と、シリコン基板上にエピタキシャル形成されたバッファ層と、バッファ層上にエピタキシャル形成された導体薄膜とを有してなる薄膜積層体であって、前記導体薄膜は、面心立方構造を有する白金族元素からなることを特徴とする薄膜積層体。
IPC (12)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  C30B 29/02 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/12 394 ,  H01G 4/12 400 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 37/02
FI (10)：
H01L 27/04 C ,  C30B 29/02 ,  H01G 4/12 394 ,  H01G 4/12 400 ,  H01L 21/285 P ,  H01L 21/285 301 Z ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 37/02 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/10 651
F-Term (51)：
4G077AA03 ,  4G077BA01 ,  4G077DA01 ,  4G077EF02 ,  4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB37 ,  4M104DD28 ,  4M104DD34 ,  4M104FF31 ,  4M104GG16 ,  5E001AB06 ,  5E001AC01 ,  5E001AC10 ,  5E001AE01 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AH03 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5E082AB01 ,  5E082EE05 ,  5E082EE11 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082EE50 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG42 ,  5E082MM09 ,  5E082PP03 ,  5E082PP04 ,  5E082PP09 ,  5E082PP10 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F083AD00 ,  5F083FR02 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083PR05 ,  5F083PR22 ,  5F083PR25
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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