半導体装置の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：北野好人 , 三村治彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007123592
Publication number (International publication number)：2007335848
Application date： May. 08, 2007
Publication date： Dec. 27, 2007
Summary：

【課題】高い結晶品質を有する量子ドットを高密度に形成しうる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】下地層10上に、自己組織化成長により量子ドット16を形成する工程と、量子ドット16を形成する工程の前又は量子ドット16を形成する工程の際に、下地層10の表面にSb又はGaSbを照射する工程と、量子ドット16の表面をAs原料ガスによりエッチングすることにより、量子ドット16の表面に析出したSbを含むInSb層18を除去する工程と、InSb層18が除去された量子ドット16上に、キャップ層22を成長する工程とを有している。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

下地層上に、自己組織化成長により量子ドットを形成する工程と、前記量子ドットの表面に、有機Sb原料ガスを照射する工程と、前記量子ドット上に、キャップ層を成長する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01S 5/343 , H01L 21/205

FI (2)：

H01S5/343 , H01L21/205

F-Term (18)：

5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB10 , 5F045AB13 , 5F045AC07 , 5F045CA12 , 5F173AA08 , 5F173AF09 , 5F173AF36 , 5F173AF38 , 5F173AH29 , 5F173AP06 , 5F173AP33 , 5F173AQ12 , 5F173AQ16 , 5F173AQ20 , 5F173AR23 , 5F173AR82

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

低格子不整合系における量子ドットの形成方法および量子ドット半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-322038 Applicant：独立行政法人情報通信研究機構
量子ドット発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-128269 Applicant：独立行政法人情報通信研究機構
量子箱集合素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-360263 Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (3)

単一光子発生装置および単一光子発生方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-043188 Applicant：富士通株式会社
低格子不整合系における量子ドットの形成方法および量子ドット半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-322038 Applicant：独立行政法人情報通信研究機構
アンチモン系材料を用いた光通信波長用面発光レーザ素子及びその画像生成装置並びに情報中継装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-186350 Applicant：独立行政法人情報通信研究機構

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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