Art

J-GLOBAL ID：200902278537678909   Reference number：04A0211841

Elongation of Emission Wavelength of GaInAsSb-Covered (Ga)InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy

分子線エピタクシーによって成長したGaInAsSb被覆(Ga)InAs量子ドットの発光波長の長波長化

Author (7)： MATSUURA T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  MIYAMOTO T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KAGEYAMA T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  OHTA M (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  MATSUI Y (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  FURUHATA T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KOYAMA F (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 43  Issue： 1A/B  Page： L82-L84  Publication year： Jan. 15, 2004 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *photoluminescence ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0211841&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599B") }}

JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Reference (11)：

• 1) A. F. Phillips, S. J. Sweeney, A. R. Adams and P. J. A. Thijs: IEEE Sel. Topics Quantum Electron. 5 (1999) 401.
• 2) R. P. Mirin, J. P. Ibbetson, K. Nishi, A. C. Gossard and J. E. Bowers: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 3795.
• 3) H. Saito, K. Nishi, S. Sugou and Y. Sugimoto: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 590.
• 4) H. Y. Liu, X. D. Wang, J. Wu, B. Xu, Y. Q. Wei, W. H. Jiang, D. Ding, X. L. Ye, F. Lin, J. F. Zhang, J. B. Liang and Z. G. Wang: J. Appl. Phys. 88 (2000) 3392.
• 5) H. Y. Liu and M. Hopkinson: Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 3644.

Terms in the title (6)： 分子線エピタクシー ,  成長 ,  Ga ,  InAs量子ドット ,  波長 ,  長波