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J-GLOBAL ID：200903094075341520

窒化物系半導体素子及びその製造方法

Inventor：
林 伸彦

About 林 伸彦

, 
狩野 隆司

About 狩野 隆司


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 芝野 正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999050777
Publication number (International publication number)：2000252591
Application date： Feb. 26, 1999
Publication date： Sep. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】 動作電圧が低減した窒化物系半導体素子を形成する。【解決手段】 p-コンタクト層8の上面にp-電極12が形成されている窒化物系半導体レーザにおいて、p-コンタクト層8の上面がC面に対して0.03°以上、10°以下の範囲で傾斜している傾斜面であることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
窒化物系半導体層の表面上に電極が形成されている窒化物系半導体素子において、前記電極が形成されている前記窒化物半導体層の表面がC面に対して0.03°以上、10°以下の範囲で傾斜している傾斜面であることを特徴とする窒化物系半導体素子。
IPC (2)：
H01S 5/343 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 677 ,  H01L 33/00 C
F-Term (18)：
5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CB05 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB17 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (23)
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