高い抵抗率の炭化ケイ素単結晶

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤田アキラ
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003541026
Publication number (International publication number)：2005507360
Application date： Oct. 28, 2002
Publication date： Mar. 17, 2005
Summary：

本発明の目的は、例えば高周波数装置のような後続する装置製造に適する電気特性と構造性質を有する高い抵抗率の炭化ケイ素基板を提供することである。それで、装置は安定した線形特性を示す。本発明の別な目的は、低い構造欠陥密度と、実質的に制御された均一な放射状の抵抗率の分布とを有する、高い抵抗率の炭化ケイ素基板を提供することである。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

25°Cで少なくとも105Ωcmの抵抗率を有する半絶縁性の炭化ケイ素単結晶において、深い準位のアクセプタ不純物又はドナー不純物の少なくとも一つと、深い準位の内因性欠陥の少なくとも一つを含み、深い不純物の濃度、つまりアクセプタやドナーの濃度は、浅いドナーか浅いアクセプタのどちらかを補償することにより十分に結晶の電気的特性に影響を及ぼすが、内因性の深い準位の濃度よりも低いことを特徴とする半絶縁性の炭化ケイ素単結晶。

IPC (2)：

C30B29/36 , H01L21/205

FI (2)：

C30B29/36 A , H01L21/205

F-Term (12)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077BE08 , 4G077DB28 , 4G077EA02 , 4G077EB01 , 4G077ED01 , 4G077HA12 , 5F045AB06 , 5F045AC19 , 5F045AC20 , 5F045CA06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

高低抗炭化ケイ素の製法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平7-505534 Applicant：ダイムラー-ベンツアクチエンゲゼルシャフト, フラウンホーファー-ゲゼルシャフトツルフェルデルングデルアンゲヴァンテンフォルシュングエー.ファウ.
高出力マイクロ波装置用高抵抗炭化珪素基板
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平10-532839 Applicant：ノースロップグラマンコーポレーション
炭化珪素体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-104379 Applicant：日本碍子株式会社

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Cited by examiner (4)

高低抗炭化ケイ素の製法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平7-505534 Applicant：ダイムラー-ベンツアクチエンゲゼルシャフト, フラウンホーファー-ゲゼルシャフトツルフェルデルングデルアンゲヴァンテンフォルシュングエー.ファウ.
高出力マイクロ波装置用高抵抗炭化珪素基板
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平10-532839 Applicant：ノースロップグラマンコーポレーション
炭化珪素体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-104379 Applicant：日本碍子株式会社

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