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J-GLOBAL ID：200903067203657091

プラズマ処理装置

Inventor：
中嶋 州

About 中嶋 州


Applicant, Patent owner：
ラム リサーチ コーポレーション

About ラム リサーチ コーポレーション


Agent (1)： 萩原 誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000099729
Publication number (International publication number)：2001284265
Application date： Mar. 31, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：
【要約】【課題】 プラズマによるチャンバ内壁面からの汚染物質の放出を防止するプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 内壁面をプラズマ保護部材40で被覆したプラズマ反応チャンバ70を備えたプラズマ処理装置100において、前記保護部材40を、ボロンを添加して抵抗率を高めた焼結シリコンカーバイド42と、前記焼結シリコンカーバイド42上に堆積した高純度で低抵抗率のシリコンカーバイド被膜44とから構成し、前記シリコンカーバイド被膜44に、線条溝46を形成し、この線条溝46により前記シリコンカーバイド被膜44を区画する。
Claim (excerpt)：
内壁面をプラズマ保護部材で被覆したプラズマ反応チャンバを備えたプラズマ処理装置において、前記保護部材を、ボロンを添加して抵抗率を高めた焼結シリコンカーバイドと、前記焼結シリコンカーバイド上に堆積した高純度で低抵抗率のシリコンカーバイド被膜とから構成し、前記シリコンカーバイド被膜に、線条溝を形成し、この線条溝により前記シリコンカーバイド被膜を区画したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6)：
H01L 21/205 ,  B01J 19/08 ,  C04B 35/565 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065
FI (7)：
H01L 21/205 ,  B01J 19/08 E ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 C ,  C04B 35/56 101 D ,  C04B 35/56 101 X ,  H01L 21/302 B
F-Term (48)：
4G001BA22 ,  4G001BA33 ,  4G001BB22 ,  4G001BB33 ,  4G001BC72 ,  4G001BD23 ,  4G001BD36 ,  4G075AA51 ,  4G075BA01 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075CA25 ,  4G075DA18 ,  4G075EB01 ,  4G075EB41 ,  4G075FA12 ,  4G075FB01 ,  4G075FB03 ,  4G075FC15 ,  4K030KA30 ,  4K030KA37 ,  4K030KA46 ,  4K030KA47 ,  4K057DA01 ,  4K057DB06 ,  4K057DD03 ,  4K057DD08 ,  4K057DM01 ,  4K057DM09 ,  4K057DM14 ,  4K057DM28 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA15 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB29 ,  5F045AA08 ,  5F045AB06 ,  5F045AC19 ,  5F045BB14 ,  5F045DA52 ,  5F045DA66 ,  5F045EC01 ,  5F045EC05 ,  5F045EH11 ,  5F045EH19
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (2)

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