半導体装置及びその作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998018098
Publication number (International publication number)：1999204435
Application date： Jan. 12, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】本発明は、高い結晶性を有し、且つ、リッジ(凹凸)の少ない平坦な表面を有する結晶性珪素膜を用いた高い特性を有する半導体装置及びその作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】本発明によれば、熱処理手段を用いて第1の非晶質珪素膜を結晶化させる。こうして得られた第1の結晶性珪素膜を下地としてその上に、第2の非晶質珪素膜を形成し、レーザー光の照射により第2の非晶質珪素膜を結晶化することにより優れた結晶性及びリッジの少ない表面を有する珪素膜が得られる。結晶構造が異なる第1の結晶性珪素膜と第2の結晶性珪素膜とを薄膜トランジスタの活性層として用いる。

Claim (excerpt)：

絶縁表面上に第1の非晶質珪素膜を形成する工程と、加熱処理を施し、前記第1の非晶質珪素膜を結晶化させ第1の結晶性珪素膜を得る工程と、前記第1の結晶性珪素膜上に第2の非晶質珪素膜を形成する工程と、エネルギーを与えることにより、前記第2の非晶質珪素膜を結晶化させ第2の結晶性珪素膜を得る工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

結晶成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-271223 Applicant：富士通株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-077699 Applicant：シャープ株式会社
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-148560 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

Show all

Return to Previous Page