半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003058021
Publication number (International publication number)：2004273486
Application date： Mar. 05, 2003
Publication date： Sep. 30, 2004
Summary：

【課題】窒化物半導体から形成されるヘテロ接合電界効果型トランジスタにおいて、論理回路やパワーデバイスに適用することができるように、しきい値が正となる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に形成された窒化物を含む半導体からなるヘテロ接合電界効果型トランジスタであって、基板の上に位置するチャネル層3と、チャネル層に接してそのチャネル層上に位置するバリア8層と、バリア層の上に位置するゲート電極5とを備え、少なくともゲート電極下の、そのゲート電極とチャネル層との間に、p型不純物を含む半導体であるp型半導体層7が位置する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に形成された窒化物を含む半導体からなるヘテロ接合電界効果型トランジスタにおいて、前記基板の上に位置するチャネル層と、前記チャネル層に接してそのチャネル層上に位置するバリア層と、前記バリア層の上に位置するゲート電極とを備え、前記ゲート電極に電位を印加しないとき、前記チャネル層のフェルミレベルを前記ゲート電極の電位以下とするノーマリオフ手段を備える、半導体装置。

IPC (3)：

H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812

FI (1)：

H01L29/80 H

F-Term (20)：

5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GR07 , 5F102GT01 , 5F102GT05 , 5F102GV05 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC15 , 5F102HC19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-223872 Applicant：日本電信電話株式会社
高移動度トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-057070 Applicant：古河電気工業株式会社
電界効果トランジスタとそれを備えた半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-084933 Applicant：名古屋工業大学長, 日本酸素株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Two-dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization charges in N- a

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