マルチレベルフォトレジストパターンを転写するための方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997070235
Publication number (International publication number)：1998027849
Application date： Mar. 24, 1997
Publication date： Jan. 27, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】多数のフォトレジストマスクを用いて多数のエッチング工程を行う従来のデュアルダマシンプロセスにおいて、接続配線および相互接続部のサイズをさらに小さくするために、複数のフォトレジストマスクの位置合わせに起因する問題を解消する方法を提供する。【解決手段】誘電体中の第1の深さに達する接続部を、フォトレジストパターンに設けた開口部を介して形成する。フォトレジストプロフィールは中間的厚さの領域において部分的にエッチング除去されて、第2の誘電体表面領域を露出させる。次に第2の誘電体表面領域を第1の深さより小さい第2の深さまでエッチングする。このようにして、相互接続部を第1の深さまで形成することができ、相互接続部に交差する配線を第2の深さまで形成することができる。この方法により、一回のフォトレジスト形成工程でデュアルダマシンプロセスを行うことが可能になる。

Claim (excerpt)：

表面を有する複数のレベルの集積回路材料を含む集積回路ウエハにおいて、表面から該集積回路材料内の複数の中間レベルに達する電気的な接続部を形成するための方法であって、a)複数の所定の厚さを有しており所定の表面領域を露出させるための開口部が貫通しているレジストプロフィールを、該表面上に形成するステップと、b)該ステップa)において該レジストプロフィール中に形成された該開口部下の集積回路材料を除去するステップと、c)該レジストプロフィールの所定部分を除去することによって、所定の表面領域を露出させる開口部を形成するステップと、d)該ステップc)において形成された該開口部下の集積回路材料を除去することによって、上に設けられた該レジストプロフィールの形状をほぼ再生するステップと、を有する方法。

IPC (3)：

H01L 21/768 , G03F 7/36 , H01L 21/3065

FI (3)：

H01L 21/90 A , G03F 7/36 , H01L 21/302 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

多層配線層の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-238683 Applicant：株式会社東芝
特開昭61-172336
基板中に多段構造を作製する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-099653 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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