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J-GLOBAL ID：200903086047518161

半導体装置の製造方法

Inventor：
廣田 俊幸

About 廣田 俊幸


Applicant, Patent owner：
エルピーダメモリ株式会社

About エルピーダメモリ株式会社


Agent (4)： 棚井 澄雄 ,  高橋 詔男 ,  大房 直樹 ,  大浪 一徳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007045125
Publication number (International publication number)：2008210930
Application date： Feb. 26, 2007
Publication date： Sep. 11, 2008
Summary：
【課題】半導体基板上に膜を形成する際、良好な密着性を保ったまま、可視光領域での光透過性を向上させた成膜を可能とし、更に、その膜がカーボン膜であっても、良好な密着性と光透過性を同時に有することを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、プラズマ生成可能な反応室2において、半導体基板Wの被処理面に膜を形成する工程に先立って、前記膜を形成する工程を行う反応室に半導体基板Wを設置したまま、少なくとも酸素ガスを用いたプラズマを生成し制御して前記被処理面をプラズマ処理する第1の工程と、反応室2に半導体基板Wを設置したまま、少なくとも水素ガスを用いたプラズマを生成し制御して前記被処理面をプラズマ処理する第2の工程とを、順に有することを特徴とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
プラズマ生成可能な反応室において、半導体基板の被処理面に膜を形成する工程に先立って、前記膜を形成する工程を行う反応室に前記半導体基板を設置したまま、少なくとも酸素ガスを用いたプラズマを生成し制御して前記被処理面をプラズマ処理する第1の工程と、前記反応室に前記半導体基板を設置したまま、少なくとも水素ガスを用いたプラズマを生成し制御して前記被処理面をプラズマ処理する第2の工程とを、順に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/314 ,  H01L 21/027
FI (2)：
H01L21/314 A ,  H01L21/30 563
F-Term (19)：
5F046HA05 ,  5F058AA08 ,  5F058AC10 ,  5F058AD08 ,  5F058AD09 ,  5F058AE02 ,  5F058AF02 ,  5F058AH02 ,  5F058BA10 ,  5F058BC14 ,  5F058BC20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD18 ,  5F058BD19 ,  5F058BE04 ,  5F058BE10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF26 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-278249   Applicant：エルピーダメモリ株式会社
Cited by examiner (4)
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