交互層蒸着前の保護層

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三枝英二 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001144436
Publication number (International publication number)：2002009078
Application date： May. 15, 2001
Publication date： Jan. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】集積回路において、多孔層上の高いコンホーマリティALD層前にシーリング層を形成する。【解決手段】半導体基板上の多孔性絶縁層中の所望の配線パターンにトレンチを形成する工程等を含むダマシン金属化方法。

Claim (excerpt)：

半導体基板上の多孔性絶縁層中の所望の配線パターンにトレンチを形成すること;下部導電素子の少なくとも一部を露出するためにトレンチのフロアから下方へ拡がるコンタクトビアを形成すること;トレンチを部分的に定義する(defining)絶縁層側壁のポアをブロッキングすること;ポアのブロッキング後、第1反応物種に露出することにより約1以下の単層でトレンチ及びコンタクトビアの表面をライニングすること;及びライニング単層を第2反応物種と反応させることを包含するダマシン金属化方法。

IPC (3)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 , H01L 21/285

FI (3)：

H01L 21/28 L , H01L 21/285 C , H01L 21/88 R

F-Term (57)：

4M104BB14 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB33 , 4M104DD04 , 4M104DD07 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD33 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104DD52 , 4M104DD75 , 4M104FF16 , 4M104FF22 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP01 , 5F033PP02 , 5F033PP04 , 5F033PP06 , 5F033PP14 , 5F033PP15 , 5F033PP18 , 5F033PP27 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ48 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR11 , 5F033RR21 , 5F033RR29 , 5F033TT01 , 5F033WW02 , 5F033WW04 , 5F033WW09 , 5F033XX02 , 5F033XX24 , 5F033XX28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

多孔性誘電体の金属被覆法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-345428 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
バリア膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-225711 Applicant：日本真空技術株式会社
化学気相蒸着法による金属窒化膜形成方法及びこれを用いた半導体装置の金属コンタクト形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-275664 Applicant：三星電子株式会社

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