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J-GLOBAL ID：200903086526837999

Si基板上への半導体薄膜形成方法及びその構造物

Inventor： 赤羽 浩一 ,  山本 直克 ,  牛頭 信一郎 ,  上田 章雄 ,  大谷 直毅
Applicant, Patent owner： 独立行政法人情報通信研究機構
Agent (1)： 新保 斉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005067839
Publication number (International publication number)：2006253414
Application date： Mar. 10, 2005
Publication date： Sep. 21, 2006
Summary：

【課題】 簡易な工程でありながらも、比較的安価なSi基板上に高品質な半導体薄膜を形成する方法と、その方法によって得られる半導体薄膜構造物を提供すること。【解決手段】 Si基板上に半導体を結晶成長させて薄膜を形成する方法であって、対象の半導体を結晶成長させるSi基板の上面を、微小角度傾斜させた状態で、結晶成長装置内にSi基板をセッティングし、そのSi基板の傾斜角度は、対象半導体結晶の底面に相応する結晶軸の格子定数のSi基板上面に対する正射影が、Si基板の上面に相応する結晶軸の格子定数と略一致する角度とする。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

Si基板上に半導体を結晶成長させて薄膜を形成する方法であって、 対象の半導体を結晶成長させるSi基板の上面を、微小角度傾斜させた状態で、結晶成長装置内にSi基板をセッティングし、 そのSi基板の傾斜角度は、 対象半導体結晶の底面に相応する結晶軸の格子定数のSi基板上面に対する正射影が、Si基板の上面に相応する結晶軸の格子定数と略一致する角度とする ことを特徴とするSi基板上への半導体薄膜形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3)：

H01L21/203 M ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 A

F-Term (27)：

5F041CA34 ,  5F041CA67 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB13 ,  5F045AB17 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF12 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F103AA04 ,  5F103BB08 ,  5F103BB35 ,  5F103BB41 ,  5F103BB55 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103HH08 ,  5F103LL03 ,  5F103LL04 ,  5F103RR06 ,  5F103RR08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 半導体薄膜素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-357803   Applicant：北陸電気工業株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-344555   Applicant：富士通株式会社
• 半導体層の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-354563   Applicant：理化学研究所, 田中悟, 武内道一
• 化合物半導体薄膜結晶
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-326631   Applicant：日本電信電話株式会社

Cited by examiner (3)

• 特開昭61-186284
  
• 半導体発光素子層の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-159296   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平3-215388