Pat
J-GLOBAL ID：200903086606287817
自動フッ素制御システム
Inventor：
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中村 稔 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000272291
Publication number (International publication number)：2001160644
Application date： Aug. 04, 2000
Publication date： Jun. 12, 2001
Summary：
【要約】【課題】 自動フッ素制御システムを提供することを目的とする。【解決手段】 ガス放電レーザ室において、F2「スイートスポット」の範囲内でのフッ素濃度の正確な制御を可能にする、自動フッ素制御システムを持つエキシマレーザシステムである。前記制御は、コンピュータ制御システムを用いて行われ、それは、レーザパラメータを監視し、ΔE/ΔVを決定し、パルスエネルギの電圧に対する変化を決定し、及び、実際にフッ素濃度を測定する必要なしに、ΔE/ ΔVに基づいてフッ素濃度を自動的、且つ正確に制御する。
Claim (excerpt)：
エキシマレーザシステムであって、A)1)間隔が隔てられた2つの細長い電極と、2)希ガスと、フッ素と、バッファガスと、を包含するレーザガスと、を備えたレーザチャンバと、B)前記2つの間隔が隔てられた電極の間にレーザガスを流すためのブロワと、C)フッ素ソースと、D)ΔE/ΔVを決定するための手段と、E)レーザチャンバにおけるフッ素濃度によって決定された所望のスイートスポット内で前記レーザを作動させることができるように、決定されたΔE/ΔVの値に基づいてフッ素注入フローを自動的に制御するように配置されたフッ素制御システムと、を有するエキシマレーザシステム。
IPC (2)：
FI (2)：
H01S 3/134
, H01S 3/223 E
Cited by examiner (5)
Show all
Return to Previous Page
