半導体装置、半導体装置の製造方法、および表示装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004027901
Publication number (International publication number)：2005223048
Application date： Feb. 04, 2004
Publication date： Aug. 18, 2005
Summary：

【課題】界面リークを防止しオン/オフ比向上を図る、有機半導体層を備えた半導体装置等を提供する。【解決手段】絶縁性基板11と、絶縁性基板11上にゲート電極12、ゲート絶縁膜13、および第1半導体層14が順次形成され、第1半導体層14上に所定の距離を有して離隔して配置された2つのソース/ドレイン電極15と、第1半導体層14表面とソース/ドレイン電極15を覆う第2半導体層16などから構成される。2つのソース/ドレイン電極15が第1半導体層14および第2半導体層16に囲まれ、ゲート絶縁膜13/第1半導体層14の界面に接触しない構成とする。したがって、ソース/ドレイン電極15間の界面リークを防止してドレイン・オフ電流を抑制し、オン/オフ比の向上を図ることができる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を覆う有機物からなる第1の半導体層と、前記第1の半導体層の表面に所定の間隙を有して配置された第1のソース/ドレイン電極および第2のソース/ドレイン電極と、前記第1のソース/ドレイン電極、第2のソース/ドレイン電極、および前記第1の半導体層表面を覆う有機物からなる第2の半導体層と、を備えた半導体装置。

IPC (3)：

H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/00

FI (8)：

H01L29/78 616S , H01L29/78 618B , H01L29/78 618E , H01L29/78 616V , H01L29/78 616T , H01L29/78 612B , H01L29/78 618A , H01L29/28

F-Term (52)：

5F110AA05 , 5F110AA06 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF22 , 5F110FF23 , 5F110FF25 , 5F110FF26 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK50 , 5F110HM03 , 5F110HM12 , 5F110QQ06 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

特開平4-199638号公報

Cited by examiner (9)

有機電界効果型素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-205286 Applicant：株式会社東芝
薄膜トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-201195 Applicant：カシオ計算機株式会社
特開平4-049665

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