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J-GLOBAL ID:200903086611011439
半導体装置、半導体装置の製造方法、および表示装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
伊東 忠彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004027901
Publication number (International publication number):2005223048
Application date: Feb. 04, 2004
Publication date: Aug. 18, 2005
Summary:
【課題】 界面リークを防止しオン/オフ比向上を図る、有機半導体層を備えた半導体装置等を提供する。【解決手段】 絶縁性基板11と、絶縁性基板11上にゲート電極12、ゲート絶縁膜13、および第1半導体層14が順次形成され、第1半導体層14上に所定の距離を有して離隔して配置された2つのソース/ドレイン電極15と、第1半導体層14表面とソース/ドレイン電極15を覆う第2半導体層16などから構成される。2つのソース/ドレイン電極15が第1半導体層14および第2半導体層16に囲まれ、ゲート絶縁膜13/第1半導体層14の界面に接触しない構成とする。したがって、ソース/ドレイン電極15間の界面リークを防止してドレイン・オフ電流を抑制し、オン/オフ比の向上を図ることができる。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
基板と、
前記基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を覆う有機物からなる第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の表面に所定の間隙を有して配置された第1のソース/ドレイン電極および第2のソース/ドレイン電極と、
前記第1のソース/ドレイン電極、第2のソース/ドレイン電極、および前記第1の半導体層表面を覆う有機物からなる第2の半導体層と、を備えた半導体装置。
IPC (3):
H01L29/786
, H01L21/336
, H01L51/00
FI (8):
H01L29/78 616S
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 618E
, H01L29/78 616V
, H01L29/78 616T
, H01L29/78 612B
, H01L29/78 618A
, H01L29/28
F-Term (52):
5F110AA05
, 5F110AA06
, 5F110BB01
, 5F110CC03
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD05
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE08
, 5F110EE14
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF09
, 5F110FF22
, 5F110FF23
, 5F110FF25
, 5F110FF26
, 5F110FF27
, 5F110FF28
, 5F110FF29
, 5F110FF30
, 5F110GG05
, 5F110GG06
, 5F110GG19
, 5F110GG25
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG42
, 5F110GG43
, 5F110GG44
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK07
, 5F110HK21
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110HK50
, 5F110HM03
, 5F110HM12
, 5F110QQ06
, 5F110QQ14
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (13)
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有機電界効果型素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-205286
Applicant:株式会社東芝
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薄膜トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-201195
Applicant:カシオ計算機株式会社
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特開平4-049665
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有機半導体材料、有機半導体構造物、および、有機半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-085930
Applicant:大日本印刷株式会社
-
有機半導体材料及び有機電子デバイス
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-084816
Applicant:三菱化学株式会社
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有機薄膜トランジスタ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-240449
Applicant:独立行政法人産業技術総合研究所
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半導体装置及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-151234
Applicant:コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
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特開平4-007877
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有機薄膜電界効果トランジスター
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-234920
Applicant:独立行政法人産業技術総合研究所
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特開平4-007877
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特開平4-049665
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特開平4-007877
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特開平4-007877
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