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J-GLOBAL ID：200903086611011439

半導体装置、半導体装置の製造方法、および表示装置

Inventor：
田野 隆徳

About 田野 隆徳

, 
友野 英紀

About 友野 英紀

, 
近藤 均

About 近藤 均


Applicant, Patent owner：
株式会社リコー

About 株式会社リコー


Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004027901
Publication number (International publication number)：2005223048
Application date： Feb. 04, 2004
Publication date： Aug. 18, 2005
Summary：
【課題】 界面リークを防止しオン/オフ比向上を図る、有機半導体層を備えた半導体装置等を提供する。【解決手段】 絶縁性基板11と、絶縁性基板11上にゲート電極12、ゲート絶縁膜13、および第1半導体層14が順次形成され、第1半導体層14上に所定の距離を有して離隔して配置された2つのソース/ドレイン電極15と、第1半導体層14表面とソース/ドレイン電極15を覆う第2半導体層16などから構成される。2つのソース/ドレイン電極15が第1半導体層14および第2半導体層16に囲まれ、ゲート絶縁膜13/第1半導体層14の界面に接触しない構成とする。したがって、ソース/ドレイン電極15間の界面リークを防止してドレイン・オフ電流を抑制し、オン/オフ比の向上を図ることができる。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
基板と、 前記基板上に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜を覆う有機物からなる第1の半導体層と、 前記第1の半導体層の表面に所定の間隙を有して配置された第1のソース/ドレイン電極および第2のソース/ドレイン電極と、 前記第1のソース/ドレイン電極、第2のソース/ドレイン電極、および前記第1の半導体層表面を覆う有機物からなる第2の半導体層と、を備えた半導体装置。
IPC (3)：
H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00
FI (8)：
H01L29/78 616S ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 612B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28
F-Term (52)：
5F110AA05 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF23 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK50 ,  5F110HM03 ,  5F110HM12 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ14
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 特開平4-199638号公報
Cited by examiner (13)
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