半導体基材及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000083324
Publication number (International publication number)：2001274093
Application date： Mar. 24, 2000
Publication date： Oct. 05, 2001
Summary：

【要約】【課題】従来の選択成長に用いられるSiO2などのマスク材料を用いること無しに転位密度を低減させた、高品質なエピタキシャル膜を備える半導体基材及び成長方法を提供すること。【解決手段】先ず、基板1の結晶成長面に凸部11と凹部12とを設ける。その後、この基板に例えばGaN系化合物半導体などの半導体結晶成長用の原料ガスを供給し、凸部11の上方部から専ら結晶成長させることで第1の半導体層2を形成する。この際、ラテラル方向成長が生じることで凹部12が空洞部13となって残留する。そして第1の半導体層2の表面に、表面状態を変化させる物質(アンチサーファクタント材料)を作用させ、アンチサーファクタント材料3を固定化させる。しかる後、原料ガスを供給し、半導体結晶からなるドット構造を新たな結晶成長核として生成される第2の半導体層4を形成して、本発明の半導体基材が完成する。

Claim (excerpt)：

基板の結晶成長面が凹凸面とされ、該凹凸面における凸部の上方部から専ら結晶成長させて第1半導体層が形成され、その上にアンチサーファクタント材料が固定化された界面又は領域を介して第2半導体層が形成されていることを特徴とする半導体基材。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 5/323

F-Term (23)：

5F041AA40 , 5F041CA33 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045AF12 , 5F045AF14 , 5F045BB12 , 5F045DA52 , 5F045DA53 , 5F073CA01 , 5F073CB05 , 5F073CB19 , 5F073DA05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

量子ドット形成方法及び量子ドット構造体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-233442 Applicant：理化学研究所, 田中悟
GaN系半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-155838 Applicant：三菱電線工業株式会社, 理化学研究所, 田中悟
半導体成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-243486 Applicant：ソニー株式会社

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Cited by examiner (2)

量子ドット形成方法及び量子ドット構造体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-233442 Applicant：理化学研究所, 田中悟
GaN系半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-155838 Applicant：三菱電線工業株式会社, 理化学研究所, 田中悟

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