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J-GLOBAL ID：200903045373360995

GaN系半導体発光素子

Inventor：
田中 悟

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青柳 克信

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大内 洋一郎

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岡川 広明

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只友 一行

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Applicant, Patent owner：
三菱電線工業株式会社

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理化学研究所

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田中 悟

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Agent (1)： 高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998155838
Publication number (International publication number)：1999354839
Application date： Jun. 04, 1998
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：
【要約】【課題】 GaN系発光素子のための量子ドットの最適な態様を示し、より高効率なGaN系発光素子を提供すること。【解決手段】 発光素子中に、下記の多重量子ドット構造3を発光に係る部分として設ける。GaN系材料からなる結晶層Aの上面をベース面とし、該ベース面上に、GaN系材料からなる量子ドットd1が分散して形成され、さらにGaN系材料からなる結晶層(キャップ層)B1が前記量子ドットを内部に埋め込むように形成され、キャップ層の上面を新たにベース面とする繰り返しの態様にて、結晶層A上に、量子ドットとキャップ層との組が、(d1、B1)〜(d5、B5)のように2段以上積層されてなるGaN系の多重量子ドット構造。ただし、各段のドット材料のバンドギャップは、その段のキャップ材料およびそのベース面となる結晶層の材料のバンドギャップよりも小さいものとする。
Claim (excerpt)：
下記(i)のGaN系の多重量子ドット構造を、発光に係る部分として有することを特徴とするGaN系半導体発光素子。(i)GaN系材料からなる結晶層(A)の上面をベース面とし、該ベース面上に、GaN系材料からなる量子ドットが分散して形成されさらにGaN系材料からなる結晶層(B)が前記量子ドットを内部に埋め込むように形成され、結晶層(B)の上面を新たにベース面とする繰り返しの態様にて、量子ドットの形成とこれを埋め込む結晶層(B)の形成とが繰り返され、これによって結晶層(A)上には、量子ドットと結晶層(B)との組を1段としてこれが2段以上積層されており、かつ、各段の量子ドットの材料のバンドギャップは、そのベース面となる結晶層の材料およびそれを埋め込む結晶層(B)の材料の各々のバンドギャップよりも小さいものであるGaN系の多重量子ドット構造。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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