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J-GLOBAL ID：200903086960849776

半導体装置の製造方法、電解エッチング装置および半導体製造装置

Inventor：
前田 圭一

About 前田 圭一


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001393670
Publication number (International publication number)：2003193300
Application date： Dec. 26, 2001
Publication date： Jul. 09, 2003
Summary：
【要約】【課題】 リソグラフィー技術や反応性イオンエッチング技術を用いることなく、銅メッキ膜表面に生じている凸状の盛り上がり部分を選択的に除去して、銅メッキ後のチップ内段差の解消を図る。【解決手段】 電解エッチングによって金属膜(銅メッキ膜15)の表面に生じている該金属膜の凸状の盛り上がり部(凸状部)を選択的に除去する工程と、前記金属膜15の表面を化学的機械研磨する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
Claim (excerpt)：
電解エッチングによって金属膜の表面に生じている該金属膜の凸状部を選択的に除去する工程と、前記金属膜の表面を化学的機械研磨する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (7)：
C25F 7/00 ,  C25F 3/22 ,  C25F 3/30 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/3063 ,  H01L 21/3205
FI (12)：
C25F 7/00 S ,  C25F 7/00 L ,  C25F 7/00 M ,  C25F 7/00 R ,  C25F 7/00 U ,  C25F 3/22 ,  C25F 3/30 ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 21/304 622 X ,  H01L 21/306 L ,  H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 K
F-Term (20)：
5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ32 ,  5F033QQ48 ,  5F033XX01 ,  5F043DD14 ,  5F043EE14 ,  5F043EE36 ,  5F043FF07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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