位相シフトマスクの製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：尾身祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994239701
Publication number (International publication number)：1996076353
Application date： Sep. 08, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】ハーフトーン型位相シフトマスクの製法において、基板のエッチングを防止して解像特性のずれを防止する。【構成】透明基板1上に、膜厚50ÅのCrからなる第1の半透明膜2aと、膜厚1500ÅのMoSiONからなる第2の半透明膜2bを成膜する〔図1(a)〕。感光性樹脂4を塗布し、電子描画する〔図1(b)〕。現像後、異方性エッチングにより第2の半透明膜2bをエッチングする〔図1(c)〕。ウエット法により第1の半透明膜2aをエッチングする〔図1(d)〕。感光性樹脂4を剥離する〔図1(e)〕。

Claim (excerpt)：

(1)透明基板上に、透明乃至半透明の第1の位相シフト層を形成する工程と、(2)前記第1の位相シフト層上に、この位相シフト層とはエッチング性を異にし、かつ、この位相シフト層より十分に膜厚の厚い半透明の第2の位相シフト層を形成する工程と、(3)前記第2の位相シフト層上に、透明領域を形成すべき領域上に開口を有するエッチングマスクを形成する工程と、(4)異方性があり、かつ、前記第1の位相シフト層に対して選択性のあるエッチング法にて第2の位相シフト層を選択的にエッチングする工程と、(5)前記第(4)の工程の結果露出した前記第1の位相シフト層を等方性エッチング法にてエッチングする工程と、を備えることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 528

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

位相シフトマスクの製造方法及び位相シフトマスクブランク
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-324347 Applicant：ホーヤ株式会社
露光マスク
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-294540 Applicant：株式会社東芝
位相シフトマスクの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-267201 Applicant：凸版印刷株式会社

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