窒化物半導体素子およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：上野英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997030204
Publication number (International publication number)：1998233529
Application date： Feb. 14, 1997
Publication date： Sep. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】従来は、窒化物半導体を外部と電気的に接続するために、窒化物半導体の最外部に位置するp型窒化物半導体上にNiを蒸着し電極としていた。しかしp型窒化物半導体上の電極は高抵抗であり、また駆動するためのしきい値電圧が高かった。本発明の目的は駆動するための電圧が低く接触抵抗の低い電極の提供およびその製造方法を開示することである。【解決手段】窒化物半導体の最外部に位置するp型窒化物半導体層の上に生成される低抵抗の電極を提供するために電極の材料としてPdを用い、これをp型窒化物半導体層上に蒸着する。さらに蒸着前のHFによる清浄化、蒸着後のアニーリングにより、電極部分における接触抵抗の低減化の効果をさらに顕著にする。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体素子であって、外部との電気的接続を行なうための端子として、前記窒化物半導体素子の最外部に位置するp型窒化物層にPdを蒸着した電極を用いることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 21/285 301 , H01S 3/18

FI (4)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E , H01L 21/285 301 R , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

電極構造およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-167124 Applicant：シャープ株式会社
発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-222627 Applicant：旭化成工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-094484 Applicant：豊田合成株式会社, 新技術事業団

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