窒化物半導体発光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：豊栖康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997330967
Publication number (International publication number)：1999150297
Application date： Nov. 14, 1997
Publication date： Jun. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】発光効率の高い窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】透光性を有する基板上に発光層を含む1又は2以上の窒化ガリウム系半導体層を介して形成されたp型窒化ガリウム系半導体層と、該p型窒化ガリウム系半導体層とオーミック接触する第1正電極と、第1正電極上の一部に形成された第2正電極とを備えた窒化物半導体発光素子であって、第2正電極において、第1正電極に接するように形成された層をAu又はPtを主成分として形成することにより、第2正電極の直下の発光層の発光を可能にした。

Claim (excerpt)：

透光性を有する基板上に発光層を含む1又は2以上の窒化ガリウム系半導体層を介して形成されたp型窒化ガリウム系半導体層と、該p型窒化ガリウム系半導体層とオーミック接触する第1正電極と、上記第1正電極上の一部に形成された第2正電極とを備えた窒化物半導体発光素子であって、上記第2正電極において、上記第1正電極に接するように形成された層をAu又はPtを主成分として形成することにより、上記第2正電極の直下の発光層の発光を可能にしたことを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 , H01L 29/43 , H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18 , H01L 29/46 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-253171 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-081948 Applicant：豊田合成株式会社
半導体発光素子、およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-194224 Applicant：ローム株式会社

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