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J-GLOBAL ID：200903087275783297

薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 姜 東 勳 ,  ゲンリフ,ステファノヴィッチ ,  宋 利 憲 ,  朴 永 洙 ,  金 昌 ▲ジュン▼
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (3)： 小野 由己男 ,  稲積 朋子 ,  堀川 かおり
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008042575
Publication number (International publication number)：2008219008
Application date： Feb. 25, 2008
Publication date： Sep. 18, 2008
Summary：

【課題】薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】ゲート、チャンネル層、ソース及びドレインを備える薄膜トランジスタにおいて、ソース及びドレインは金属からなり、チャンネル層とソース及びドレインとの間に金属酸化物層が備えられたことを特徴とする薄膜トランジスタ。金属酸化物層は、層内に金属含有量勾配を有する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

ゲート、チャンネル層、ソース及びドレインを備える薄膜トランジスタであって、 前記ソース及びドレインは金属からなり、 前記チャンネル層と前記ソース及びドレインとの間に金属酸化物層が備えられたことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (1)：

H01L 29/786

FI (3)：

H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 618B

F-Term (19)：

5F110AA01 ,  5F110AA03 ,  5F110AA06 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE04 ,  5F110GG04 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK18 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK42 ,  5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 薄膜トランジスタの形成方法及び表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-028001   Applicant：キヤノン株式会社
• アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-226698   Applicant：キヤノン株式会社
• 亜鉛酸化物の加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-094319   Applicant：カシオ計算機株式会社
• 薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-102928   Applicant：住友重機械工業株式会社

Cited by examiner (4)

• 亜鉛酸化物の加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-094319   Applicant：カシオ計算機株式会社
• 薄膜トランジスタの形成方法及び表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-028001   Applicant：キヤノン株式会社
• アモルファス酸化物半導体膜を用いた薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-226698   Applicant：キヤノン株式会社
• 薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-102928   Applicant：住友重機械工業株式会社