ポジ型レジスト組成物

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小栗昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002086459
Publication number (International publication number)：2003280205
Application date： Mar. 26, 2002
Publication date： Oct. 02, 2003
Summary：

【要約】【課題】160nm以下、特にF2エキシマレーザー光(157nm)の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には157nmの光源使用時に十分な透過性を示し、且つラインエッジラフネス、現像欠陥が著しく軽減されたポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】(A)特定の繰り返し単位を有する、酸の作用により分解しアルカリ現像液に対する溶解度が増大するフッ素含有樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、(C)溶剤、及び(D)少なくともひとつのカルボキシル基を有する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

Claim (excerpt)：

(A)下記一般式(I)〜(VI)で表される繰り返し単位から選ばれる少なくともひとつの繰り返し単位を有する、酸の作用により分解しアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物、(C)溶剤、及び(D)少なくともひとつのカルボキシル基を有する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【化1】【化2】【化3】式(I)及び(II)において、mは0又は1を表す。式(I)及び(IV)〜(VI)において、Xは、水素原子又は酸の作用により分解する基を表す。式(I)において、R11〜R16は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又はフルオロアルキル基を表すが、少なくとも一つは水素原子ではない。式(II)において、R3は、水素原子又は酸の作用により分解する基を表す。式(III)において、R4は、水素原子又は酸の作用により分解する基を表す。式(IV)において、R21〜R32は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又はフルオロアルキル基を表すが、少なくとも一つは水素原子ではない。式(V)及び(VI)において、R1及びR2は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基、又はトリフルオロメチル基を表す。R41〜R46及びR51〜R56は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又はフルオロアルキル基を表すが、R41〜R46のうちの少なくとも一つ及びR51〜R56のうちの少なくとも1つは水素原子ではない。nは1〜5の整数を表す。【0001】

IPC (8)：

G03F 7/039 601 , C08F210/14 , C08F212/14 , C08F220/10 , C08F220/22 , C08F232/00 , G03F 7/004 501 , H01L 21/027

FI (8)：

G03F 7/039 601 , C08F210/14 , C08F212/14 , C08F220/10 , C08F220/22 , C08F232/00 , G03F 7/004 501 , H01L 21/30 502 R

F-Term (44)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA04 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB14 , 2H025CB16 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4J100AA20T , 4J100AB07T , 4J100AL24R , 4J100AL26R , 4J100AL26S , 4J100AR11P , 4J100AR11Q , 4J100BA04P , 4J100BA04S , 4J100BA04T , 4J100BA07P , 4J100BA15Q , 4J100BA22P , 4J100BB17S , 4J100BB17T , 4J100BB18P , 4J100BB18Q , 4J100BC04S , 4J100BC07Q , 4J100BC07R , 4J100BC43R , 4J100CA03 , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-375504 Applicant：信越化学工業株式会社
高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-124021 Applicant：信越化学工業株式会社
感放射線性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-108824 Applicant：ジェイエスアール株式会社, インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

Show all

Return to Previous Page