SiCエピタキシャル成長装置およびSiCエピタキシャル薄膜作成方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：飯阪泰雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997243456
Publication number (International publication number)：1999071200
Application date： Aug. 25, 1997
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 3インチ以上の大きい面積にSiCエピタキシャル薄膜形成方法・装置を提供する。【解決手段】真空度10-10 Torrの真空チャンバー2に対して10-4Torr台の真空度で成膜が可能でSiターゲット24を取り付けたヘリコンスパッタ銃21、他方はCターゲット34を取り付けたヘリコンスパッタ銃31との、独立して制御し得る2基のヘリコンスパッタ銃21、31、およびSi基板の表面に炭化層を形成させるための高純度C2 H2 の導入ポート41を設けたSiCエピタキシャル装置1を使用して、Si基板11を加熱し、C2 H2 ガスを導入して10-5Torrの真空下にSi基板11の表面に炭化層を形成させ、アルゴンガスを導入して10-4Torr台の真空下に900°C以上で、ヘリコンスパッタ銃21からSi、ヘリコンスパッタ銃31からCを化学量論的に1対1となるようにスパッタリングさせてSiCエピタキシャル薄膜を作成する。

Claim (excerpt)：

到達真空度10-10 Torr台の超高真空チャンバーと、該超高真空チャンバー内にセットされてアノード電極となる基板と、該基板に向けて前記超高真空チャンバーに設置され、10-4Torr台の真空度でスパッタリングが可能であり、一方にはSi(シリコン)ターゲットが取り付けられ、他方にはC(炭素)ターゲットが取り付けられて、かつ独立して制御可能とされた2基の誘導結合rfプラズマ支援マグネトロンスパッタカソードであるヘリコンスパッタ銃とからなることを特徴とするSiCエピタキシャル成長装置。

IPC (3)：

C30B 29/36 , C30B 25/06 , H01L 21/203

FI (3)：

C30B 29/36 A , C30B 25/06 , H01L 21/203 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

多層膜作成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-345279 Applicant：日本真空技術株式会社
炭化珪素薄膜の製造方法及び製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-316190 Applicant：松下電器産業株式会社
特開昭61-127695

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

スパッタリング法によるSiC薄膜の生成

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