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J-GLOBAL ID:200903087463919538

レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5): 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004295150
Publication number (International publication number):2006106497
Application date: Oct. 07, 2004
Publication date: Apr. 20, 2006
Summary:
【課題】 LWRを低減させることができるレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法を提供する。【解決手段】 樹脂成分(A)および酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物において、(A)成分が、(a0)下記一般式(a0)で表される構成単位と、【化1】 (Rは水素原子又は低級アルキル基;Y1は脂肪族環式基;Zはアルコキシアルキル基を示し;aは1〜3の整数、bは0又は1〜2の整数を示し、a+b=1〜3である。)(a1)酸解離性溶解抑制基を有する(α-低級アルキル)アクリル酸エステルから誘導される構成単位であり、構成単位(a0)に該当しない単位とを有する高分子化合物(A1)を含有するレジスト組成物。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する樹脂成分(A)および酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物において、 (A)成分が、(a0)下記一般式(a0)で表される構成単位と、
IPC (3):
G03F 7/039 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/027
FI (3):
G03F7/039 601 ,  G03F7/033 ,  H01L21/30 502R
F-Term (12):
2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025FA17
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1) Cited by examiner (4)
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