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J-GLOBAL ID:200903087684251698
薄膜太陽電池およびその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鳥井 清
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002153128
Publication number (International publication number):2003318424
Application date: Apr. 18, 2002
Publication date: Nov. 07, 2003
Summary:
【要約】【目的】 基板上に裏面電極を形成し、その裏面電極上にプリカーサ膜を形成して、Se雰囲気中で熱処理することによってCIGS系の光吸収層を作製し、その光吸収層上にバッファ層を介して透明電極を形成するようにした薄膜太陽電池を製造するに際して、エネルギー変換効率を向上させるべく、熱処理時に効率良く効果的に光吸収層にアルカリ元素を拡散させることができるようにする。【構成】 アルカリ成分を含む基板と裏面電極とプリカーサ膜との間に設けられたアルカリ層とからそれぞれアルカリ元素を光吸収層に拡散させるようにした薄膜太陽電池の製造方法。
Claim (excerpt):
アルカリ成分を含む基板上に裏面電極を形成し、その裏面電極上にプリカーサ膜を形成して、Se雰囲気中で熱処理することによってCIGS系の光吸収層を作製し、その光吸収層上にバッファ層を介して透明電極を形成するようにした薄膜太陽電池の製造方法にあって、裏面電極とプリカーサ膜との間にアルカリ層を形成して、Se雰囲気中で熱処理することによってCIGS系の光吸収層を作製するに際して基板およびアルカリ層からそれぞれアルカリ元素を光吸収層に拡散させるようにしたことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
F-Term (7):
5F051AA10
, 5F051BA14
, 5F051CB15
, 5F051CB24
, 5F051FA02
, 5F051FA06
, 5F051GA03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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基板上に太陽電池を製造する方法及びカルコパイライト吸収層を有する太陽電池
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-312243
Applicant:シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
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薄膜太陽電池
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-263505
Applicant:矢崎総業株式会社
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太陽電池およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-058891
Applicant:松下電器産業株式会社
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