位相シフトマスクブランク、フォトマスクブランク、並びにそれらの製造装置及び製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤村康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000277260
Publication number (International publication number)：2002090977
Application date： Sep. 12, 2000
Publication date： Mar. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】光半透過膜における露光波長の半分程度より大きい径であるパーティクルとピンホールの合計数が、1平方センチあたり0.1個以下である位相シフトマスクブランクを製造できる製造装置及び製造方法等を提供する。【解決手段】ハーフトーン型位相シフトマスクブランク製造用のDCマグネトロンスパッタ装置において、例えば、ターゲット面を重力方向に対して下向きに配置し、全面エロージョンカソードを用い、ターゲット端部の角の部分5a及びアースシールドの角の部分を曲面加工(R加工)し、ターゲット端部5b、露出しているバッキングプレート面4b及びアースシールド12の表面を荒らし、アースシールド12をターゲット面dより上部(バッキングプレート側)に配置する。

Claim (excerpt)：

透明基板上に、パターンを形成するための薄膜を有するフォトマスクブランクの製造方法であって、前記薄膜をスパッタ成膜する際に、ターゲット面を重力方向に対し下向きとし基板表面を上向きとし、かつ、前記基板の周縁部が成膜されないように遮蔽することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。

IPC (4)：

G03F 1/08 , C23C 14/34 , G03F 7/20 502 , H01L 21/027

FI (7)：

G03F 1/08 A , G03F 1/08 Z , C23C 14/34 B , C23C 14/34 C , C23C 14/34 T , G03F 7/20 502 , H01L 21/30 502 P

F-Term (18)：

2H095BA01 , 2H095BA07 , 2H095BB03 , 2H095BB25 , 2H095BB31 , 2H097CA13 , 2H097GB00 , 2H097JA02 , 4K029BA41 , 4K029CA06 , 4K029DA10 , 4K029DC03 , 4K029DC05 , 4K029DC12 , 4K029DC20 , 4K029DC21 , 4K029DC39 , 4K029HA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

フォトマスクブランクスの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-113472 Applicant：ホーヤ株式会社
スパッタリング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-364974 Applicant：日本電気株式会社
基板上にアモルファス水素添加炭素膜を堆積する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-330046 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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