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J-GLOBAL ID：200903088505370910

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 飯島 良介 ,  山口 豪 ,  西山 彰
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (6)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003279885
Publication number (International publication number)：2005045166
Application date： Jul. 25, 2003
Publication date： Feb. 17, 2005
Summary：

【課題】 ゲート絶縁膜として金属シリケートを用いた構成において、ゲート電極を構成するボロン等の原子のゲート絶縁膜中への拡散を抑制すると共に、シリコン基板の界面準位の増加を抑制する。【解決手段】 シリコン基板101上にゲート絶縁膜103を介してゲート電極104が形成された電界効果型トランジスタを有する半導体装置であって、ゲート絶縁膜103は、金属・シリコン・酸素・窒素を含み、該膜103中の窒素濃度はゲート電極界面部で最大、且つ基板界面部で最小であり、ゲート絶縁膜103中の金属濃度はゲート電極界面部で最小、且つ基板界面部で最大である。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成された電界効果型トランジスタを有する半導体装置であって、 前記ゲート絶縁膜は金属・シリコン・酸素・窒素を含み、該膜中の窒素濃度は前記ゲート電極との界面部で最大、且つ前記基板との界面部で最小であり、前記ゲート絶縁膜中の金属濃度は前記ゲート電極との界面部で最小、且つ前記基板との界面部で最大であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

FI (4)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/316 X ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617V

F-Term (92)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA01 ,  4K030BA02 ,  4K030BA10 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030BA48 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030LA02 ,  5F058BA01 ,  5F058BA05 ,  5F058BC12 ,  5F058BD09 ,  5F058BD16 ,  5F058BF02 ,  5F058BF12 ,  5F058BF20 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BH04 ,  5F058BH15 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA14 ,  5F110AA30 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE32 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF06 ,  5F110FF26 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F140AA05 ,  5F140AA06 ,  5F140AA28 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BA20 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BD15 ,  5F140BD17 ,  5F140BE05 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE15 ,  5F140BE17 ,  5F140BE19 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ23 ,  5F140BK13 ,  5F140BK25 ,  5F140BK29 ,  5F140CA03 ,  5F140CB04 ,  5F140CC03 ,  5F140CC12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-246882   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (5)

• 半導体装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-083380   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-001546   Applicant：株式会社東芝
• MIS型電界効果トランジスタ及びこれの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-094052   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置および非晶質高誘電体膜の堆積方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-193789   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-030791   Applicant：株式会社東芝