半導体装置とその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002083380
Publication number (International publication number)：2002359371
Application date： Mar. 25, 2002
Publication date： Dec. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】MOSFETのゲート絶縁膜を耐熱性、耐酸化性の制限によりゲートエッジの丸め酸化を行うことができない材料で形成した場合でも、ゲートエッジの丸め酸化を行うことなく、ゲートエッジでの電界集中を緩和することができ、高い信頼性のある半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜およびその上に形成されたゲート電極とを持つMOSFETとを具備する半導体装置において、前記ゲート絶縁膜中の誘電率を、その中央部または前記半導体基板に接する側の方が周辺部またはゲート電極に接する側よりも高く設定して構成される。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、この半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜およびその上に形成されたゲート電極とを持つMOSFETとを具備し、前記ゲート絶縁膜中の誘電率は前記半導体基板に接する側の方がゲート電極に接する側よりも高い、半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 21/316 , H01L 21/318

FI (3)：

H01L 21/316 X , H01L 21/318 B , H01L 29/78 301 G

F-Term (40)：

5F058BA01 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC08 , 5F058BF04 , 5F058BF06 , 5F058BH16 , 5F140AA19 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BD15 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE13 , 5F140BE17 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BG37 , 5F140BG53 , 5F140BH14 , 5F140BH15 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140CA03 , 5F140CB01 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC03 , 5F140CC12 , 5F140CE07 , 5F140CF04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-030791 Applicant：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-400568 Applicant：株式会社東芝
改良型薄膜誘電体を使用して電界効果デバイスおよびコンデンサを製造する方法および得られるデバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-107329 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド

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