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J-GLOBAL ID：200903088755765465

反応性スパッタリング方法

Inventor：
鈴木 康之

About 鈴木 康之

, 
寺西 康治

About 寺西 康治


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003283397
Publication number (International publication number)：2005048260
Application date： Jul. 31, 2003
Publication date： Feb. 24, 2005
Summary：
【課題】可視及び紫外域で吸収のないMgF2,LaF3,YF3,AlF3等のフッ化物薄膜や、Al2O3,SiO2,Ta2O5,TiO2等の酸化物をスパッタリングにより、高速に安定して形成することを目的とする。【解決手段】一端が開口した、コンダクタンスが制御された可動ターゲットユニット内部にAr,Xe,Kr等の不活性ガス供給孔を設け、該ターゲットと基板間に少なくともフッ素もしくは酸素を含む反応性ガスを供給可能な反応性スパッタリング装置において、該反応性ガスが基板方向に噴出する構成とする。噴出する位置はターゲット-基板に挟まれる空間であって、基板表面の反応性ガス濃度をより高く維持できるようにする。また、ターゲットが移動する際にはガス噴出し口もともに移動もしくは噴出し位置が可変できる構成とする。これによって、基板表面の反応性ガス濃度を効率よく一定に保つことができ、高品質な光学薄膜を形成できる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
少なくとも一端が開口し不活性ガスを内部に導入するための供給孔を有する中空状のターゲットと、基板とを、装置内部に設け、 該供給孔を介して不活性ガスを該ターゲットの内部に導入するとともに、該基板表面に向けて反応性ガスを吹き付けながらスパッタリングを行うことを特徴とする反応性スパッタリング方法。
IPC (3)：
C23C14/34 ,  G02B1/11 ,  G02B5/08
FI (3)：
C23C14/34 M ,  G02B5/08 C ,  G02B1/10 A
F-Term (14)：
2H042DA08 ,  2H042DC02 ,  2K009AA02 ,  2K009CC03 ,  2K009CC06 ,  2K009DD04 ,  2K009DD09 ,  2K009EE00 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BA44 ,  4K029BA48 ,  4K029CA06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • スパッタ装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-079315   Applicant：三菱電機株式会社
  • スパッタリング装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-132338   Applicant：日本電気株式会社
Cited by examiner (8)
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