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J-GLOBAL ID：200903088773214255
半導体装置のフォトマスク及びその製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
八田 幹雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999306101
Publication number (International publication number)：2000131825
Application date： Oct. 27, 1999
Publication date： May. 12, 2000
Summary：
【要約】【課題】 薄い膜厚の透過防止層を実現して、写真食刻工程に際して高い解像度を与えることができる半導体装置のフォトマスクを提供する。【解決手段】 透光性基板の上に、モリブデン固溶合金からなる透過防止層を備える半導体装置のフォトマスクである。さらに、モリブデン固溶合金は、モリブデンにクロム、バナジウム、ニオビウム、タンタルまたはタングステンなどがそれぞれン固溶されて形成された固溶合金であり得る。
Claim (excerpt)：
透光性基板と、前記基板上に形成された、モリブデンに金属原子が固溶されたモリブデン固溶合金からなる透過防止層とを有することを特徴とする半導体装置のフォトマスク。
IPC (2)：
FI (2)：
G03F 1/08 G
, H01L 21/30 502 P
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