電力用半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998167743
Publication number (International publication number)：1999345969
Application date： Jun. 01, 1998
Publication date： Dec. 14, 1999
Summary：

【要約】【課題】IGBTのフォールタイムtf をオン電圧の上昇を招くことなく短くすること。【解決手段】n型エミッタ層8の奥行き方向(チャネル幅方向)の幅をWn、p型コンタクト層の奥行き方向の幅をWpとした場合に、D=Wn/(Wn+Wp)で定義される、n型エミッタ層8の奥行き方向の短絡率の値0.4以下に設定する。

Claim (excerpt)：

絶縁ゲート型電力用半導体素子を含む電力用半導体装置であって、絶縁ゲート型電力用半導体素子は、高抵抗の第1導電型ベース層と、この第1導電型ベース層の表面に形成された第2導電型ベース層と、この第2導電型ベース層の表面に選択的に形成された第1導電型エミッタ層と、この第1導電型エミッタ層および前記第2導電型ベース層を貫通し、前記第1導電型ベース層の途中の深さまで達した溝内に、ゲート絶縁膜を介して埋込み形成されたゲート電極と、前記第2導電型ベース層の表面に、前記溝および前記第1導電型エミッタ層に接するように選択的に形成された第2導電型コンタクト層と、前記第1導電型エミッタ層が形成された表面とは反対側の前記第1導電型ベース層の表面に形成された第2導電型コレクタ層と、前記第1導電型エミッタ層に設けられるとともに、前記第2導電型コンタクト層を介して前記第2導電型ベース層に設けられたエミッタ電極と、前記第2導電型コレクタ層に設けられたコレクタ電極とを具備し、前記第1導電型エミッタ層および前記第2導電型コンタクト層のチャネル幅方向の寸法をそれぞれW1およびW2とした場合に、W1/(W1+W2)≦0.4の条件を満たすことを特徴とする電力用半導体装置。

FI (2)：

H01L 29/78 655 F , H01L 29/78 653 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-029561 Applicant：三菱電機株式会社
絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-054656 Applicant：三菱電機株式会社
絶縁ゲート型サイリスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-056407 Applicant：富士電機株式会社

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