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J-GLOBAL ID：200903088833105701

カーボンナノチューブ薄膜形成ECRプラズマCVD装置及び該薄膜の形成方法

Inventor：
阿川 義昭

About 阿川 義昭


Applicant, Patent owner：
日本真空技術株式会社

About 日本真空技術株式会社


Agent (1)： 北村 欣一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000000299
Publication number (International publication number)：2001192829
Application date： Jan. 05, 2000
Publication date： Jul. 17, 2001
Summary：
【要約】【課題】 手間がかからず、カーボンナノチューブの生産能力が高く、電力の消費量が低く、製造コストの安い、カーボンナノチューブ薄膜形成CVD装置及び該薄膜形成方法の提供。【解決手段】 マイクロ波によるECRプラズマを利用した気相反応によるカーボンナノチューブ薄膜形成CVD装置において、マイクロ波発生システムのマイクロ波導入管の先端部分が成膜室内に設けられ、この先端部分が円錐台形状で末広がりであるホーン形状からなっており、該マイクロ波導入管には、成膜室との接続部分又はその近傍に石英製仕切部材が設けられている。この装置を用いてカーボンナノチューブ薄膜を形成する。
Claim (excerpt)：
成膜室と、該成膜室内に設置された基板ホルダーと、該成膜室内に炭素含有ガス及び水素ガスを供給するためのガス供給系と、該基板ホルダーに接続されたバイアス電源と、該成膜室内にECRプラズマを発生させるためのマイクロ波発生システムとを有し、該マイクロ波発生システムのマイクロ波導入管の先端部分が該成膜室内に設けられ、この先端部分が円錐台形状で末広がりのマイクロ波導入部からなっていることを特徴とするカーボンナノチューブ薄膜形成ECRプラズマCVD装置。
IPC (2)：
C23C 16/26 ,  C01B 31/02 101
FI (2)：
C23C 16/26 ,  C01B 31/02 101 F
F-Term (16)：
4G046CA02 ,  4G046CB01 ,  4G046CB09 ,  4G046CC06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA27 ,  4K030BB11 ,  4K030CA02 ,  4K030FA02 ,  4K030GA02 ,  4K030GA05 ,  4K030KA20 ,  4K030KA30 ,  4K030KA45 ,  4K030LA18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
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