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J-GLOBAL ID：200903098681480990

プラズマ処理装置

Inventor：
石井 信雄

About 石井 信雄


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997034395
Publication number (International publication number)：1998223398
Application date： Feb. 03, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：
【要約】【課題】 処理容器内に導入されたマイクロ波の電界分布を均一化させることができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 マイクロ波発生器60にて発生したマイクロ波を導波管62,66内に伝搬させてマイクロ波導入窓54より被処理体Wにプラズマ処理を施す処理容器16内へ導入するようにしたプラズマ処理装置において、前記マイクロ波導入窓は、これに導入される前記マイクロ波の面内電界強度分布と逆特性の透過率分布を有するように形成される。これにより、電界強度の大きいところは透過率を小さくして透過するマイクロ波の量を抑制し、逆に電界強度の小さいところは透過率を大きくして透過するマイクロ波の量をそれ程抑制せず、これにより全体として処理容器内の電界強度を均一化させる。
Claim (excerpt)：
マイクロ波発生器にて発生したマイクロ波を導波管内に伝搬させてマイクロ波導入窓より被処理体にプラズマ処理を施す処理容器内へ導入するようにしたプラズマ処理装置において、前記マイクロ波導入窓は、これに導入される前記マイクロ波の面内電界強度分布と逆特性の透過率分布を有するように形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6)：
H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/3065 ,  H01P 1/08 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205
FI (6)：
H05H 1/46 B ,  C23C 16/50 ,  H01P 1/08 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • マイクロ波プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-132666   Applicant：住友金属工業株式会社, ラムリサーチコーポレーション
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-217287   Applicant：株式会社ダイヘン
  • プラズマ処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-339519   Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立エンジニアリングサービス
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