プラズマ処理装置および光学部品の製造法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：谷義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997343085
Publication number (International publication number)：1999176593
Application date： Dec. 12, 1997
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】面内均一に優れ、ピンホールや局所的に欠陥の少ない被覆性に優れた被覆を形成し得るプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】減圧可能な容器と、プラズマ化されるガスを容器内に供給するためのガス供給手段と、容器内を排気するための排気手段と、容器内にマイクロ波を供給するマイクロ波供給手段と、を有し、被処理体に表面処理を施すプラズマ処理装置である。この装置は、マイクロ波供給手段の被処理体に対向する面が被処理体の被処理面に対応した形状の非平面であり、かつマイクロ波透過性誘電体で形成されている。

Claim (excerpt)：

減圧可能な容器と、プラズマ化されるガスを該容器内に供給するためのガス供給手段と、該容器内を排気するための排気手段と、前記容器内にマイクロ波を供給するマイクロ波供給手段と、を有し、被処理体に表面処理を施すプラズマ処理装置において、前記マイクロ波供給手段の前記被処理体に対向する面が該被処理体の被処理面に対応した形状の非平面であり、かつマイクロ波透過性誘電体で形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H05H 1/46 , C23C 16/50 , G02B 1/10

FI (3)：

H05H 1/46 B , C23C 16/50 , G02B 1/10 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

成膜又はエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-193558 Applicant：住友電気工業株式会社
マイクロ波プラズマエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-342006 Applicant：キヤノン株式会社, キヤノン販売株式会社
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-248767 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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