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J-GLOBAL ID：200903088957682995
原子炉構造材及び原子炉構造材の腐食低減方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999177512
Publication number (International publication number)：2001004789
Application date： Jun. 23, 1999
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：
【要約】【課題】 応力腐食割れ防止のための水素の注入量及び貴金属の注入量を少なくし、これによって、タービン系への放射能の移行を低減させ、オフガス系の過剰水素の量を低減させ、燃料材料表面上への貴金属の付着量を極力小さくし、さらには燃料表面上に生成するルースな粒子状の鉄の生成を抑制して燃料材料の酸化および水素化を増大することなく、原子炉一次系材料の腐食電位を低減させて原子炉構造材の応力腐食割れを防止すること。【解決手段】 光触媒物質であるn型半導体1のような光触媒物質をステンレスや溶接材であるインコネルなどの金属母材2に付着させ、必要に応じて炉水中の水素濃度を高めて、原子炉内に存在する光や放射線の照射により光触媒物質から金属母材に電流を流して腐食電流を低減させる。光触媒物質の表面にはPt、Rh、Ru若しくはPdの1種以上を付着させてもよい。
Claim (excerpt)：
原子炉内に存在する光や放射線の照射により起電する光触媒物質、原子炉内の温度圧力条件下で前記光触媒物質を形成する金属、金属化合物又はこれらの表面にPt、Rh、Ru若しくはPdの1種以上を付着させた物質を、表面に有することを特徴とする原子炉構造材。
IPC (2)：
G21D 1/00 GDB
, G21C 5/00
G21D 1/00 GDB X
, G21C 5/00 C
Cited by examiner (6)
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Article cited by the Patent：
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