絶縁ゲート型半導体素子およびその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：池内寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000043043
Publication number (International publication number)：2000312003
Application date： Feb. 21, 2000
Publication date： Nov. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】良好な半導体素子特性を得るために好ましい炭化珪素基板を用いながらも、絶縁耐圧を高く維持できるトレンチ構造を有する絶縁ゲート型半導体素子を提供する。【解決手段】炭化珪素基板の表面をエッチングして凹部を形成し、次いでこの表面上方からイオン線などの粒子線を照射して、少なくとも凹部底面に損傷層を形成する。さらに酸化雰囲気中で熱処理して、少なくとも凹部側面と底面とに絶縁膜を形成し、この絶縁膜上にゲート電極を形成する。この方法によれば、炭化珪素基板の表面が、β-SiCの(111)Si面、α-SiCの(0001)Si面のように結晶性が良好なエピタキシャル成長層が得られる面であっても、凹部底面における絶縁膜の膜厚を凹部側面における膜厚よりも厚くして絶縁耐圧を確保できる。

Claim (excerpt)：

炭化珪素基板の表面をエッチングして前記表面に凹部を形成する工程と、前記表面の上方から粒子線を照射することにより、少なくとも前記凹部の底面に損傷層を形成する工程と、前記炭化珪素基板を酸化雰囲気中で熱処理することにより、少なくとも前記凹部の側面と前記損傷層が形成された前記底面とに、炭化珪素を酸化した絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする絶縁ゲート型半導体素子の製造方法。

IPC (4)：

H01L 29/78 652 , H01L 29/78 653 , H01L 21/265 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 653 A , H01L 21/265 Q , H01L 29/78 658 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-140564 Applicant：日本電装株式会社, 株式会社豊田中央研究所
トレンチDMOSトランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-210898 Applicant：三星電子株式会社
炭化珪素半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-028624 Applicant：富士電機株式会社

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