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J-GLOBAL ID：200903089055556993

電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor：
谷本 真士

About 谷本 真士


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Agent (2)： 豊栖 康司 ,  豊栖 康弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005329267
Publication number (International publication number)：2006173582
Application date： Nov. 14, 2005
Publication date： Jun. 29, 2006
Summary：
【課題】高耐圧化を実現して高出力化を図った電界効果トランジスタ等を提供する。【課題手段】電界効果トランジスタは、i型層の第1の半導体層と、第1の半導体層上に形成され該第1の半導体層よりバンドギャップエネルギーの大きい第2の半導体層を備える。第1の半導体層及び第2の半導体層は窒化ガリウム系化合物半導体層より構成され、第2の半導体層にゲート電極36が形成され、第1の半導体層に第2の電極39が形成され、ゲート電極36及び第2の電極39で第1の半導体層及び第2の半導体層を挟むよう構成している。この構成により、チャネルに蓄積されるホールを素子から排出することが可能となり、電界効果トランジスタの耐圧を高めることができる。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
窒化ガリウム系化合物半導体層で構成されたi型層の第1の半導体層と、 窒化ガリウム系化合物半導体層で構成され、前記第1の半導体層上に形成されて、該第1の半導体層よりバンドギャップエネルギーの大きい第2の半導体層と、 前記第2の半導体層上に形成されるゲート電極と、 前記第1の半導体層に形成される第2の電極であって、前記ゲート電極及び第2の電極で前記第1の半導体層及び第2の半導体層を挟むように配置される第2の電極と、 を備えることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338
FI (1)：
H01L29/80 H
F-Term (21)：
5F102FA01 ,  5F102FA03 ,  5F102FA10 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC05 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102GT02 ,  5F102GT03 ,  5F102HC00 ,  5F102HC11 ,  5F102HC19
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (5)
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