BaLiF3単結晶体の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：鈴木俊一郎 , 牧村浩次 , 高畑ちより
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008038862
Publication number (International publication number)：2008230958
Application date： Feb. 20, 2008
Publication date： Oct. 02, 2008
Summary：

【課題】半導体製造用の液浸式露光装置のラストレンズ等として有用であり、200nm以下の真空紫外光の透過性に優れたBaLiF3単結晶体の製造方法を提供する。【解決手段】BaLiF3単結晶体をLi過剰な溶融液を原料として融液成長法で製造する場合に、BaF2とLiFとMgF2とからなり、これらの含有比率がモル基準で、Ba/(Ba+Li+Mg)が0.35〜0.48の範囲であり、かつMg/(Li+Mg)が0.001〜0.03の範囲にある溶融液を調製し、この原料溶融液を用いて単結晶体を育成する。これによりLi成分の析出に起因する白濁が低下し、良好な光透過率がえられる。また、育成後のBaLiF3単結晶をアニール処理し歪除去をおこなえば、単結晶体中の白濁をさらに低減することができる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

融液成長法によるBaLiF3単結晶体の製造方法において、原料溶融液として、Ba F2とLiFとMgF2とからなり、これらの含有比率がモル基準で、Ba/(Ba+Li+Mg)が0.35〜0.48の範囲にあり、かつMg/(Li+Mg)が0.001〜0.03の範囲にある原料溶融液を用いることを特徴とするBaLiF3単結晶体の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/12 , G02B 1/02 , H01L 21/027

FI (3)：

C30B29/12 , G02B1/02 , H01L21/30 515D

F-Term (12)：

4G077AA02 , 4G077BE02 , 4G077CD01 , 4G077CE10 , 4G077EC07 , 4G077EC08 , 4G077HA01 , 4G077HA02 , 5F046BA04 , 5F046BA05 , 5F046CB12 , 5F046CB25

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

液浸式露光装置のラストレンズ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-140667 Applicant：株式会社トクヤマ
フッ化物結晶からなる真空紫外領域用光学部材および光学部材用コーティング材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-031172 Applicant：エヌイーシートーキン株式会社
多元系フッ化物単結晶およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-317193 Applicant：エヌイーシートーキン株式会社

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Cited by examiner (2)

フッ化物結晶からなる真空紫外領域用光学部材および光学部材用コーティング材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-031172 Applicant：エヌイーシートーキン株式会社
液浸式露光装置のラストレンズ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-140667 Applicant：株式会社トクヤマ

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

"Color center luminescence in pure and Mg-doped LiBaF3 crystals"

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