基板加熱装置、基板加熱方法および半導体集積回路装置、フォトマスクならびに液晶表示装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：船橋國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995331411
Publication number (International publication number)：1997171953
Application date： Dec. 20, 1995
Publication date： Jun. 30, 1997
Summary：

【要約】【課題】リソグラフィー工程における基板加熱において、レジストを形成した基板を加熱するときの温度条件がパターン寸法に大きな影響を与え、基板の一方側の面からのみの加熱ではパターン寸法が大きく変動していた。【解決手段】基板21上に形成した感光材料を用いてパターン形成を行うため光照射前あるいは光照射後に、または基板21上に形成した荷電粒子に感光する材料を用いてパターン形成を行うための荷電粒子照射前あるいは荷電粒子照射後に、基板21を加熱する基板加熱装置1 であって、基板21を上面側から加熱するための熱源となる上側ヒータ11と、基板21を下面側から加熱するための熱源となる下側ヒータ12と、基板21を載置するもので下側ヒータ12上に設けた伝熱性のヒータブロック13とを備え、上側ヒータ11の温度と下側ヒータ12の温度とを個別に設定することを可能としたものである。

Claim (excerpt)：

半導体装置の製造工程に用いられるもので、基板上に形成した感光材料を用いてパターン形成を行うため光照射前あるいは光照射後に、または基板上に形成した荷電粒子に感光する材料を用いてパターン形成を行うための荷電粒子照射前あるいは荷電粒子照射後に、基板を加熱する基板加熱装置であって、前記基板を、該基板の表面側から加熱するための熱源となる第1ヒータと、前記基板を、該基板の裏面側から加熱するための熱源となる第2ヒータとを備え、前記第1ヒータの温度と前記第2ヒータの温度とを個別に設定することを可能としたことを特徴とする基板加熱装置。

IPC (2)：

H01L 21/027 , G03F 1/08

FI (3)：

H01L 21/30 567 , G03F 1/08 C , H01L 21/30 502 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ベーキング装置およびプリベーク方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-304558 Applicant：ソニー株式会社
基板の加熱方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-095810 Applicant：シグマメルテック株式会社
熱処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-245905 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社

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