プラズマにより基板の異方性エッチングを行なう方法及び装置、誘導連結されたプラズマ源から発生されるプラズマを均一化する装置ならびにプラズマ処理装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：矢野敏雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998224354
Publication number (International publication number)：1999135488
Application date： Aug. 07, 1998
Publication date： May. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】エッチング速度の不均一性を減少し、かつ同時にエッチングマスクの不規則な切除をほぼ完全に抑圧する。【解決手段】誘導連結されたプラズマ源によって、高周波電磁交番フィールドが発生され、かつプラズマの発生のために、反応ガス又は反応ガス混合物が、この交番フィールドにさらされ、かつプラズマの電気的に帯電した粒子が、基板の方向に加速される、プラズマにより基板の異方性エッチングを行なう方法に関する。本発明によれば、次のことが提案される。すなわちプラズマ源と基板との間に、電子-イオン-再結合のために少なくとも1つの有効な表面を有する開口が導入される。さらに本発明は、この方法を実施する装置及びプラズマ処理装置に関する。

Claim (excerpt)：

誘導連結されたプラズマ源によって、高周波電磁交番フィールドが発生され、かつプラズマの発生のために、反応ガス又は反応ガス混合物が、この高周波電磁交番フィールドにさらされ、その際、プラズマの電気的に帯電した粒子が、基板の方向に加速され、かつプラズマ源と基板との間に、穴絞りとして構成された開口が配置されている、プラズマにより基板の異方性エッチングを行なう装置において、開口に、電子-イオン-再結合のために少なくとも1つの有効な表面が付属しており、その際、有効な表面が、開口におけるほぼ円筒形の取付け物として構成されており、かつ開口の直径が、基板の直径よりも大きいことを特徴とする、プラズマにより基板の異方性エッチングを行なう装置。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H05H 1/46

FI (3)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 A , H05H 1/46 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

プラズマ処理方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-174446 Applicant：大日本スクリーン製造株式会社
プラズマリアクタ内の半導体ウエハ処理用改善フォーカスリング
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-079075 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
プラズマ生成装置およびプラズマ生成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-238843 Applicant：株式会社東芝

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