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J-GLOBAL ID：200903089528103126

MRAMデバイス用スピン依存型トンネリング接合

Inventor： ジェームス・エイ・ブラッグ ,  ラング・ティ・トラン ,  トーマス・シー・アンソニー ,  マノジュ・ケイ・バッタチャルヤ ,  ジャニス・ニッケル
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Agent (1)： 奥山 尚一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001047766
Publication number (International publication number)：2001298228
Application date： Feb. 23, 2001
Publication date： Oct. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】 スピン依存型トンネリング接合メモリセルを含むMRAMデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】 平坦化したピークを有している底部強磁性体層と、前記底部強磁性体層の上に位置している絶縁性トンネリングバリアと、前記絶縁性トンネリングバリアの上に位置している頂部強磁性体層とを含んでなるMRAMデバイス用のメモリセルのSDT接合を提供する。

Claim (excerpt)：

平坦化したピークを有している底部強磁性体層と、前記底部強磁性体層の上に位置している絶縁性トンネリングバリアと、前記絶縁性トンネリングバリアの上に位置している頂部強磁性体層とを含んでなるMRAMデバイス用のメモリセルのスピン依存型トンネリング接合。

IPC (7)：

H01L 43/08 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/12

FI (7)：

H01L 43/08 Z ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/14 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/12 ,  H01L 27/10 447

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• トンネリング磁気抵抗効果素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-173695   Applicant：住友金属工業株式会社
• トンネル接合の形成方法およびトンネル接合
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-349432   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 磁気トンネル接合素子、接合メモリ・セル及び接合磁界センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-276238   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法およびメモリ素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-008642   Applicant：ティーディーケイ株式会社
• 強磁性トンネル接合
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-248410   Applicant：ティーディーケイ株式会社