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J-GLOBAL ID：200903055705336240

レーザー照射装置及びレーザー照射方法

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平

, 
田中 幸一郎

About 田中 幸一郎

, 
楠本 直人

About 楠本 直人


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996050888
Publication number (International publication number)：1997219380
Application date： Feb. 13, 1996
Publication date： Aug. 19, 1997
Summary：
【要約】【課題】 半導体薄膜に線状レーザー光を走査しながら照射してレーザーアニールを行い、結晶化や結晶性の向上を図るに際し、アニール後の半導体薄膜の面内均質性を向上させつつ、高い結晶性を得る。さらにレーザー光源の出力変動の影響を防ぐ。【解決手段】 非連続的に照射され、被照射面において線状を呈するレーザー光を、該レーザー光の線幅方向に走査させながら半導体薄膜に照射してレーザーアニールを行うに際し、前記線状レーザー光の線幅方向のエネルギープロファイルとして、エネルギー密度が段階的に異なった階段状の形状を呈するものとする。特に、走査ピッチDと階段部分の幅Ln との関係をLn ≧Dを満たすように設定する。
Claim (excerpt)：
幅方向に段階的なビームプロファイルを有した線状のパルスレーザー光を照射する手段と、前記レーザー光を線状の幅方向にピッチDで走査して照射する手段と、を有し、前記段階のそれぞれは所定の照射エネルギー密度を有し、かつ前記幅方向における寸法がLn の領域でなり、Ln ≧Dであることを特徴とするレーザー照射装置。
IPC (2)：
H01L 21/268 ,  H01L 21/20
FI (2)：
H01L 21/268 Z ,  H01L 21/20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (24)
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Cited by examiner (5)
  • 特開昭60-257511
  • 特開平3-286518
  • 特開平4-102311
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