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J-GLOBAL ID:200903089583141770

処理装置及び処理方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 萩原 康司 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999191918
Publication number (International publication number):2000082691
Application date: Jul. 06, 1999
Publication date: Mar. 21, 2000
Summary:
【要約】【課題】 処理原液の補充するのに最適な時期を決定し,処理液の成分比率と液量とを安定して確保すると共に,処理液の消費量を最小限に抑えることができる処理装置を提供する。【解決手段】 ウェハWを処理するためのAPM処理液を貯留しておく貯留タンク30とを備えた処理装置6において,ウェハWの処理枚数と洗浄時間とに対応してアンモニア水溶液,過酸化水素水,純水を貯留タンク30に補充する補充機構40を設ける。ウェハWを処理したAPM処理液を貯留タンク30に回収させる回収回路31と,APM処理液の状態を調整する調整回路32と,APM処理液をウェハWに供給する供給回路33とを設け,回収回路31の途中に気液分離機構52を配置する。
Claim (excerpt):
貯留タンクに所定の割合で複数の処理原液を補充し,該貯留タンク内の処理液を基板に供給して処理する処理装置において,前記基板の処理枚数と処理時間とに対応して処理原液を前記貯留タンクに補充する補充機構を設けたことを特徴とする,処理装置。
IPC (4):
H01L 21/304 648 ,  H01L 21/304 ,  B08B 3/08 ,  H01L 21/306
FI (4):
H01L 21/304 648 G ,  H01L 21/304 648 K ,  B08B 3/08 Z ,  H01L 21/306 J
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • 基板洗浄装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-090581   Applicant:大日本スクリーン製造株式会社
  • 多成分系薬液処理装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-233717   Applicant:島田理化工業株式会社
  • 半導体基板の洗浄方法および洗浄装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-116532   Applicant:三菱電機株式会社, 三菱化学株式会社
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