単分子膜累積法を用いて配向制御したチタンを含有する機能性無機薄膜およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999180509
Publication number (International publication number)：2000325861
Application date： May. 24, 1999
Publication date： Nov. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】本発明は、基板上に単分子膜累積法を用いて、チタンの組成や分布を制御した単分子膜を累積して得た単分子累積膜を前駆体として用いることを特徴とするチタンを含有する無機薄膜およびその製造方法に関するものであり、下層液中に錯形成作用を有する物質を共存させることで錯体あるいはイオンとなし、従来困難とされた単分子累積膜中へのチタン導入を行った後、累積条件を制御することで、配向制御されたチタンを含有する機能性無機薄膜およびその製造方法を提供するものである。【解決手段】本発明は、下層液中に錯形成作用を有する物質を共存させることでチタンを錯体あるいはイオンとなした後、基板上にチタンを含有する単分子膜を累積することで、分子レベルで構造制御された単分子累積膜を前駆体となし、これを無機薄膜に変換することにより配向制御されたチタンを含有する機能性無機薄膜を得る方法である。

Claim (excerpt)：

単分子膜累積法を用いて、下層液中でチタンと、あるいはチタンおよびその他の金属と錯形成作用を有する物質とを共存させることにより、金属錯体あるいは金属イオンとなした後、当該金属錯体あるいは金属イオンを導入した単分子膜を累積して得られる累積膜を前駆体として用い、これを配向制御された無機薄膜に変換することで得られる配向制御したチタンを含有する機能性無機薄膜。

IPC (4)：

B05D 1/20 , B05D 7/24 303 , C01G 23/00 , C01G 25/00

FI (4)：

B05D 1/20 , B05D 7/24 303 C , C01G 23/00 C , C01G 25/00

F-Term (13)：

4D075AB24 , 4D075AB54 , 4D075AB55 , 4D075EB01 , 4G047CA05 , 4G047CB05 , 4G047CC02 , 4G047CD02 , 4G048AA03 , 4G048AB02 , 4G048AC02 , 4G048AD02 , 4G048AE08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

電子放出素子、電子源、それを用いた画像形成装置、及びそれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-197272 Applicant：キヤノン株式会社
特開平1-183865
特開平3-232567

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