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J-GLOBAL ID:200903089819317735
放熱体及びパワーモジュール並びに放熱体の製造方法及びパワーモジュールの製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (7):
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 青山 正和
, 江口 昭彦
, 杉浦 秀幸
, 村山 靖彦
, 柳井 則子
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003083023
Publication number (International publication number):2004296493
Application date: Mar. 25, 2003
Publication date: Oct. 21, 2004
Summary:
【課題】使用に際して温度サイクル下に置かれた場合においても、高い接合信頼性を維持できる放熱体及びパワーモジュール並びに放熱体の製造方法及びパワーモジュールの製造方法を提供すること。【解決手段】絶縁基板14を有する絶縁回路基板18と,この絶縁回路基板18の一方の面に設けられた放熱体17と,絶縁回路基板18の他方の面に設けられた半導体チップ13とを備えたパワーモジュール10であって、絶縁回路基板18は、絶縁基板14の一方の面に設けられた金属層16を備え、放熱体17は、少なくとも絶縁回路基板18との当接面を構成する放熱体本体部21を備え、放熱体本体部21及び金属層16は、純Al,Al合金,純Cu,またはCu合金により形成され、放熱体17は、絶縁回路基板18の一方の面にSn及びNiを含有する金属間化合物層19を介して接合されている。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
被放熱体からの熱を放熱する放熱体であって、
放熱体本体部と、該放熱体本体部の熱膨張係数より低い材質からなる低熱膨張材とを備え、
前記放熱体本体部は、純Al,Al合金,純Cu,またはCu合金により形成され、
前記放熱体本体部と前記低熱膨張材とは、Sn及びNiを含有する金属間化合物層を介して接合されていることを特徴とする放熱体。
IPC (3):
H01L23/36
, H01L23/373
, H01L23/40
FI (3):
H01L23/36 D
, H01L23/40 F
, H01L23/36 M
F-Term (6):
5F036AA01
, 5F036BA23
, 5F036BB21
, 5F036BC08
, 5F036BD01
, 5F036BD03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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特開平4-192341
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半導体装置及びその金属支持板
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-239501
Applicant:株式会社日立製作所
-
熱伝導複合材料とその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-029833
Applicant:住友特殊金属株式会社
-
半導体素子収納用パッケージ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-158832
Applicant:京セラ株式会社
-
はんだ付け方法及びはんだ付け構造
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-181051
Applicant:内橋エステック株式会社
-
半導体素子収納用パッケージ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-212780
Applicant:京セラ株式会社
-
特開平4-192341
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