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J-GLOBAL ID：200903033109980820

半導体基板の製造方法

Inventor：
新井 学

About 新井 学

, 
木村 親夫

About 木村 親夫


Applicant, Patent owner：
新日本無線株式会社

About 新日本無線株式会社


Agent (1)： 長尾 常明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003102592
Publication number (International publication number)：2004307253
Application date： Apr. 07, 2003
Publication date： Nov. 04, 2004
Summary：
【課題】良質で大口径化の可能なシリコンカーバイド基板を製造する。【解決手段】母材基板としてのシリコン基板1の表面に多孔質層2を形成し、炭素を含むガスのプラズマ雰囲気中でシリコン基板1に電圧を印加して多孔質層2の表面にシリコンカーバイドの種結晶3を形成し、その種結晶3を起点にシリコンカーバイドの結晶層をエピタキシャル成長させる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
母材基板の表面に多孔質層を形成する第1の工程と、 上記母材基板と格子定数および熱膨張係数の異なる半導体に含まれる元素を1つ以上含むプラズマ雰囲気中で前記母材基板に電圧を印加して前記多孔質層の表面に前記半導体の種結晶を形成する第2の工程と、 前記種結晶を起点に前記半導体の結晶層をエピタキシャル成長させる第3の工程と、 を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (4)：
C30B29/38 ,  C30B25/18 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3063
FI (4)：
C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  H01L21/205 ,  H01L21/306 L
F-Term (31)：
4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077BE08 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077TC16 ,  4G077TK08 ,  4G077TK11 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD10 ,  5F043DD14 ,  5F043FF10 ,  5F043GG10 ,  5F045AA03 ,  5F045AA08 ,  5F045AB06 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AD18 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045AF14 ,  5F045BB12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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