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J-GLOBAL ID：200903089830674418

電子装置の設計方法および製造方法

Inventor：
井谷 直毅

About 井谷 直毅


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002158276
Publication number (International publication number)：2003347406
Application date： May. 30, 2002
Publication date： Dec. 05, 2003
Summary：
【要約】【課題】 CMP法を用いてSTI構造、配線構造等を形成する場合に、研磨速度が異なる領域の疎密により生ずるエロージョン等の凹みを防止し、良好な平坦度を有する研磨面を得ることができる設計方法および製造方法を提供する。【解決手段】 レイアウト領域を小領域に等しく分割し、その分割された小領域ごとに面積率を計算し、第1の所定の範囲内か否かの判別を行う。前記範囲から外れている場合は、ダミー領域を配置し、またはパターンを分割して範囲内にする。すべの小領域について判別後、レイアウト領域を小領域と異なる大きさの大領域に分割し、その分割された大領域ごとに面積率を計算し、第2の所定の範囲内か否かの判別を行う。前記範囲から外れている場合は、上記と同様にして範囲内にする。
Claim (excerpt)：
(1)化学機械的研磨により研磨速度が大きい易研磨領域と研磨速度が小さい難研磨領域との両方を含んで画定されるレイアウト領域を第1の小領域に等しく複数に分割する工程と、(2)各々の該第1の小領域について、前記難研磨領域が占める第1の面積率を求め、研磨後平坦度を確保するために前記第1の小領域中に前記難研磨領域が占めてよい許容面積率と前記第1の面積率を対比し、前記第1の面積率が前記許容面積率よりも大きければ易研磨領域を拡大あるいは追加し、前記許容面積率よりも小さければ難研磨領域を拡大あるいは追加する工程と、(3)前記レイアウト領域を前記第1の小領域と異なる大きさの第2の小領域に等しく複数に分割する工程と、(4)各々の該第2の小領域について、前記難研磨領域が占める第2の面積率を求め、研磨後平坦度を確保するために前記第2の小領域中に前記難研磨領域が占めてよい許容面積率と前記第2の面積率を対比し、前記第2の面積率が前記許容面積率よりも大きければ易研磨領域を拡大あるいは追加し、前記許容最大面積率よりも小さければ難研磨領域を拡大あるいは追加する工程と、を有する電子装置の設計方法。
IPC (5)：
H01L 21/82 ,  G11B 5/31 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04
FI (5)：
G11B 5/31 M ,  H01L 21/82 D ,  H01L 21/76 L ,  H01L 27/04 A ,  H01L 21/82 C
F-Term (31)：
5D033DA01 ,  5D033DA31 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA77 ,  5F032BA02 ,  5F032BA05 ,  5F032CA17 ,  5F032DA02 ,  5F032DA07 ,  5F032DA23 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F038CA05 ,  5F038CA17 ,  5F038CA18 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ20 ,  5F064DD02 ,  5F064DD03 ,  5F064DD08 ,  5F064DD13 ,  5F064DD24 ,  5F064DD26 ,  5F064DD50 ,  5F064EE15 ,  5F064EE19 ,  5F064EE32 ,  5F064GG10 ,  5F064HH06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (3)

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